9月29日，新加坡南洋理工大学孙长庆教授做客生益科技材料创新论坛，在交叉科学研究中心会议室以《有关低配位键弛豫和耦合氢键受激极化与协同弛豫的两个标度规则》为题作学术报告。本次报告采用线上线下相结合的方式进行，相关教师和研究生参加会议并进行深入交流。

孙长庆教授从“表面、缺陷、纳米结构等低配位体系所显示的奇异特性的根源是什么？”“为什么常规物理学理论对冰水溶液的反常行为失效？”这两个问题出发，以对物质的哈密尔顿量进行多场微扰的观点为基础分享了30年来的探索成果，阐述了两个相应的理论和标度关系：一是低配位原子间的键合自发收缩且增强，导致局域深层能级的电子自陷和端态电子的极化，也就是BOLS-NEP理论框架，并以此统一了端态和纳米结构的各种物性的变化；二是对于含有孤对电子体系，分子间与分子内相互作用的耦合是关键，从而氢键受激极化和协同弛豫（HBCP）决定包括冰水溶液和炸药的各种性能。孙长庆教授并将自己的科研经历与经验分享给参会人员，使年轻教师受益良多。

报告结束后，孙长庆教授在量子材料的压电特性问题上进行了深入探讨，提炼出多个具有重要研究价值的合作研究课题。与会老师就报告中提到的溶液粘滞性等问题与孙长庆教授展开了热烈交流与讨论。

孙长庆教授1997年于澳洲默多克大学获表面物理学博士，主攻超常配位键工程和非键电子学，发展了配位键受激弛豫、氢键耦合振子对以及水合反应电荷注入等理论，拥有多项微扰计量谱学专利。著有《键合弛豫》《计量谱学》《氢键规则》《水合反应》四本专著，并发表了30余篇专述和500余篇论文。

（撰稿：张娇龙；一审：李润霞；二审：杨壮鹏；三审：君光）